发明名称 |
Diode und Leistungswandlungsvorrichtung |
摘要 |
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Diode, die mit einem einfachen Verfahren hergestellt werden kann und einen vorteilhaften Erholungsvorgang durchführt. Die Diode nach der vorliegenden Erfindung weist eine Schicht mit einer hohen Konzentration von Dotiermitteln und eine Schicht mit einer niedrigen Konzentration von Dotiermitteln auf, und die Schicht mit der niedrigen Konzentration von Dotiermitteln weist außerdem eine Schicht mit einer anderen Aktivierungsrate als andere Abschnitte auf. |
申请公布号 |
DE112013005426(T5) |
申请公布日期 |
2015.07.30 |
申请号 |
DE20131105426T |
申请日期 |
2013.12.03 |
申请人 |
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. |
发明人 |
MORI, MUTSUHIRO;ISHIMARU, TETSUYA |
分类号 |
H01L29/861;H01L21/265;H01L21/322;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/868 |
主分类号 |
H01L29/861 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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