パワー半導体装置及びその製造方法並びにボンディングワイヤ

摘要

パワー半導体装置の電流容量の大容量化、高温環境での使用に際し、熱応力が発生しても問題なく使用でき、ワイヤ自身の発熱を低減でき、高温環境でも接合部の信頼性を確保することができるパワー半導体装置及びその製造方法並びにボンディングワイヤを提供することを課題とする。パワー半導体素子２上の金属電極（素子電極３）ともう一方の金属電極（接続電極４）とを金属ワイヤ５によって双方ともウェッジ接続したパワー半導体装置１において、金属ワイヤ５は直径５０μｍ超２ｍｍ以下のＡｇ又はＡｇ合金ワイヤであり、素子電極３は表面に５０Å厚以上のＮｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ａｌの金属層又はこれらの合金層を１層以上有する。これにより、Ａｇワイヤを用いるにもかかわらず電極との接合部信頼性を確保でき、大電流での使用時に金属ワイヤ自身の発熱を低減でき、高温での耐熱性を改善することができる。