| 摘要 |
半導体チップ３の接合面に金属Ａ（Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから成る群より選ばれた少なくとも１種を主成分とする金属）から成る金属層３ｃ形成する一方、配線金属２の少なくとも接合面を金属Ｂ（Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから成る群より選ばれた少なくとも１種を主成分とする金属、但し、金属Ａ及びＢが共にＡｕを主成分とする金属である場合を除く）とし、配線金属２の接合面に微細凹凸２ｒを設けると共に、両接合面間に金属Ａ及び金属Ｂに含まれるＡｕ以外の金属とそれぞれ共晶反応を生じる金属としてＺｎを含むインサート材を介在させ、半導体チップ３と配線金属２を相対的に加圧しつつ加熱し、接合面の酸化皮膜３ｆ、２ｆを破壊して、接合界面に生じた共晶反応溶融物と共に排出して接合する。 |
