タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜

摘要

【要約書】タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、タングステンの純度が５Ｎ（９９．９９９％）以上であり、タングステンに含有する不純物の炭素が５ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。タングステン焼結体スパッタリングターゲットの炭素を低減させることにより、該タングステンターゲットを用いてスパッタリングしたタングステン膜の比抵抗を低減させることを課題とする。【選択図】なし