发明名称 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法
摘要 <p>本発明は、ドナー元素を含む化合物又はアクセプタ元素を含む化合物と、分散媒、及び脂肪酸アミドと、を含有する不純物拡散層形成組成物を提供する。また本発明は、半導体基板上の全部又は一部に、前記不純物拡散層形成組成物を付与して不純物拡散層形成組成物層を形成する工程と、前記不純物拡散層組成物層が形成された半導体基板に熱処理を施す工程と、を有する不純物拡散層付き半導体基板の製造方法を提供する。</p>
申请公布号 JPWO2013125254(A1) 申请公布日期 2015.07.30
申请号 JP20140500611 申请日期 2013.01.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/225;C03C3/14;C03C3/145;C03C3/16;H01L31/068;H01L31/18 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
地址