Eingebetteter Source- oder Drain-Bereich eines Transistors mit seitlich verlängertem Teil

摘要

Bei einigen Ausführungsformen wird in einem Verfahren eine Body-Struktur mit einer darauf ausgebildeten Gate-Struktur bereitgestellt. Die Gate-Struktur weist eine Gate-Seitenwand auf, die die Body-Struktur durchquert. Über der Gate-Seitenwand wird ein Abstandshalter hergestellt. In der Body-Struktur wird eine erste Vertiefung hergestellt. Die erste Vertiefung wird neben dem Abstandshalter hergestellt und erstreckt sich seitlich unter dem Abstandshalter. Unter der ersten Vertiefung wird eine Vertiefungsvergrößerung hergestellt, um die vertikale Tiefe der ersten Vertiefung zu vergrößern. Ein Stressormaterial mit einer Gitterkonstante, die von der der Body-Struktur verschieden ist, wird so aufgewachsen, dass die vergrößerte erste Vertiefung gefüllt wird.