发明名称 | 一种绝缘基底上直接制备石墨烯的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种结合金属催化剂,直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法,其属于石墨烯材料制备技术领域。该技术解决了石墨烯薄膜在催化剂的基底转移过程中,往往会损伤,影响其性能等问题。本发明在绝缘基底上由催化剂诱导直接制备大面积石墨烯技术,其包括如下步骤:A,制备绝缘衬底/含碳聚合物/金属催化剂的一种结合体;B,在非氧化气氛中,高温处理上述所得结合体,使含碳聚合物(2)分解得到与绝缘衬底(1)直接接触的石墨烯;C,刻蚀金属催化剂(3),制备了所述石墨烯。该方法使含碳聚合物(2)为碳源和粘附剂,置于金属与绝缘衬底间,使石墨烯直接与绝缘衬底接触,避免了转移损伤,可直接用于器件制备和透明电极等应用。 | ||
申请公布号 | CN103265018B | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
申请号 | CN201310190000.8 | 申请日期 | 2013.05.21 |
申请人 | 上海大学 | 发明人 | 王浪;杨连乔;张建华;陈伟 |
分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 陆聪明 |
主权项 | 一种基底上制备石墨烯的方法,其特征在于在绝缘基底上,金属催化剂通过含碳聚合物层,直接制备石墨烯,其包括如下步骤:A)在绝缘基底上涂覆含碳聚合物层( 2 ),然后将金属催化剂层( 3 )通过聚合物层( 2 )粘附在绝缘基底(1)上并紧密接触,烘干后得到绝缘基底/含碳聚合物/金属催化剂结合体;B) 将步骤A)所得绝缘基底/含碳聚合物/金属催化剂的结合体,置于非氧化性气氛中,升温至800‑1100度,保温5‑100分钟,含碳聚合物在高温下分解并在金属催化剂层( 3 )下形成石墨烯,在非氧化性气氛中降温至室温,得到绝缘基底/石墨烯/金属催化剂结合体;C) 将步骤B)所得结合体置于金属刻蚀液中,刻蚀去除金属催化剂层(3),经过去离子水冲洗,烘干,得到绝缘基底上的石墨烯;所述含碳聚合物层( 2 )有:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)中的一种或几种组合。 | ||
地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 |