半导体衬底上的键合接触部位

摘要

本发明涉及一种在半导体衬底(2)上的具有增强结构(10)的键合接触部位(1)，包括：至少一个设置在半导体衬底(2)上的导电材料层(3)，用于接收具有图案的增强结构(10)；一个构成为具有键合面的键合接触层的、设置在导电材料层(3)上的金属层(4)，其中，在键合面(5)下面设置至少一个约2μm厚的氧化层，该氧化层伸出超过键合面(5)的边缘，增强结构(10)位于氧化层(14)中，从上方向键合面(5)看去在键合面(5)以外在氧化层(14)内部。

主权项

在半导体衬底(2)上的具有增强结构(10)的键合接触部位(1)，包括：至少一个设置在所述半导体衬底(2)上的第一金属层(3)，用于接收具有图案的增强结构(10)，一个作为具有键合面(5)的键合接触层(4)设置在所述第一金属层(3)上方的第三金属层，其中，所述键合面(5)通过一个钝化层(13)的开孔限定并且所述键合接触层(4)在该钝化层(13)下方构成边缘(5a)及该钝化层(13)在该边缘(5a)的所有侧上与所述键合接触层(4)搭接，从上方向所述键合面(5)看去，所述增强结构(10)在所述键合面(5)下方在所述第一金属层(3)内部构成，并且所述增强结构(10)包括介电的岛(11，12)，并且，在所述第一金属层(3)中构成一框架(3c)，所述框架包围所述增强结构(10)，及在所述第一金属层(3)上方构成一通过第一介电质层(8)间隔开的第二金属层(7)，并且在所述键合面(5)下方及在第一金属层(3)上方设有一个绝缘层，及该绝缘层设置在具有所述增强结构(10)的第一金属层(3)上并且构成中心设置的由介电质制成的岛(14)，所述由介电质制成的岛被第二金属层(7)框架形地包围，其中，所述在键合面(5)下方的、由介电质制成的岛的区域在层序中不中断，并且所述第一金属层(3)和第二金属层(7)借助于敷镀通孔(15)电连接，及在第二金属层(7)与所述键合接触层(4)之间构成一个第二介电质层(6)并且在键合面(5)的边缘(5a)上通过设置在第二介电质层(6)中的敷镀通孔(16)与第二金属层(7)电连接，分别由所述第一金属层(3)和第二金属层(7)形成的金属框架(3c，7a)的相应的外部边缘分别相对彼此横向地错开及相对于所述键合接触层(4)的边缘(5a)分别相对彼此横向地错开。