电阻式存储装置、电阻式存储装置的操作方法

摘要

本发明提供了一种电阻式存储装置、电阻式存储装置的操作方法，该电阻式存储装置包括：一具有多个垂直结构的3D存储单元阵列，3D存储单元阵列的存储单元位于上述垂直结构的侧壁，上述存储单元的第一部分施加一第一电压，使第一部分的存储单元作为工作存储器，上述存储单元的第二部分施加一第二电压，使第二部分的存储单元作为储存存储器。此外，本发明的第一部分存储单元在温度为90℃～100℃的可靠度可大于10¹⁵，可作为一工作存储装置，且第二部分存储单元有较佳的持久度，使其持久度足够好可作为一储存存储装置。

主权项

一种电阻式存储装置，其特征在于，该电阻式存储装置包括：一基底；一存储单元阵列，包括沿该基底表面垂直方向延伸的多个垂直结构；多个第一导线，其中，所述第一导线中相邻的两第一导线间设置一绝缘层；一第一电阻转换层和一第二电阻转换层，设置于所述垂直结构的侧壁上；及多个第二导线，沿与所述第一导线垂直的方向延伸；其中，该存储单元阵列包括多个存储单元；其中，所述存储单元的第一部分施加一第一电压，使该第一部分的存储单元作为工作存储器，所述存储单元的第二部分施加一第二电压，使该第二部分的存储单元作为储存存储器。