一种GaN基LED的电子阻挡层结构及其外延生长方法

摘要

本发明就EBL层提出一种新的生长结构和方法，解决了目前生长的p型AlGaN电子阻挡层(EBL)产生的不利影响。该GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，其中电子阻挡层为p型AlGaN电子阻挡层，在InGaN/GaN量子阱垒结构层上外延生长，在p层AlGaN电子阻挡层的生长过程中控制Al组分的含量先升后降形成双向渐变。通过生长双向Al组分变化的p型AlGaN电子阻挡层(DGEBL)，能够更好的减少电子阻挡层和之前材料的界面极化和晶格适配，并且能够降低p层空穴的注入势能，极大的增大了有源区量子阱层的电子和空穴有效发光复合几率，提升发光效率，同时也降低了正向电压。

主权项

一种GaN基LED的电子阻挡层外延生长方法，所述电子阻挡层为p型AlGaN电子阻挡层，在InGaN/GaN量子阱垒结构层上外延生长，其特征在于：在p层AlGaN电子阻挡层的生长过程中控制Al组分的含量先升后降形成双向渐变。