一种横向导通GaN基发光器件生长及制备方法

摘要

本发明公开一种横向导通GaN基发光器件的生长及制备方法，其中横向导电通道为GaN层和AlGaN层界面处形成的二维电子气。是利用一次外延生长二维电子气形成导电通道，减小横向导通器件的串联电阻。制备过程包括一次外延生长形成的二维电子气导电通道，二次选择区域生长的发光器件结构及器件制备工艺中的透明导电层、p型电极和n型电极。本发明在发光器件中制备二维电子气导电通道，使发光器件具有串联电阻小的特点。

主权项

一种横向导通GaN基发光器件的生长及制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在衬底上生长GaN层；步骤2：在GaN层上生长AlGaN层；上述步骤1至2为一次生长阶段；步骤3：在AlGaN层上制备图形化掩蔽膜，且在图形化掩蔽膜上选择性开口使部分AlGaN层露出；步骤4：在上述图形化掩蔽膜及露出的AlGaN层上依次选择性外延生长n型GaN层、InGaN/GaN有源层及p型GaN基覆盖层；上述步骤3和4为二次生长阶段；步骤5：在p型GaN基覆盖层正面沉积透明导电层，与p型GaN基覆盖层形成欧姆接触；步骤6：在透明导电层上制备p型电极，在图形化掩蔽膜上还开口露出GaN层或AlGaN层，并在GaN层或AlGaN层露出处制备n型电极；上述GaN层与AlGaN层界面处为二维电子气导电通道。