成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在旋转台的一面侧设置的载置区域并使基板公转；处理气体供给部，其用于向基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；以及加热部，其用于加热所述旋转台，以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理。所述处理气体供给部包括：气体喷头，其具有以与所述基板的通过区域相对的方式设置的、多个处理气体的喷射孔；以及冷却机构，其用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的与所述通过区域相对的相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。

主权项

一种成膜装置，其用于向基板供给处理气体而获得薄膜，其中，该成膜装置包括：真空容器；旋转台，其配置于该真空容器内，该旋转台用于将基板载置于在该旋转台的一面侧设置的载置区域并使该基板公转；加热部，其用于加热所述旋转台，以便将所述基板加热至600℃以上而进行成膜处理；处理气体供给部，其用于向所述基板供给热分解温度在1个大气压下为520℃以上的处理气体；气体喷头，其设于所述处理气体供给部，该气体喷头在与载置于所述旋转台的基板的通过区域相对地设置的相对部上具有多个处理气体的气体喷射孔；以及冷却机构，其设于所述气体供给部，该冷却机构用于在所述成膜处理时将所述气体喷头的所述相对部冷却至比所述处理气体的热分解温度低的温度。