具有部分凹陷阳极的GaN基肖特基二极管

摘要

本发明提供了一种半导体器件，诸如肖特基二极管，其包括衬底、设置在所述衬底上方的第一有源层和设置在所述第一有源层上的第二有源层。所述第二有源层的带隙比所述第一有源层高，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层。第一电极具有设置在所述第二有源层中的凹槽内的第一部分和设置在所述第二有源层上的第二部分，使得与之形成肖特基结。第二电极接触所述第一有源层。所述第二电极与所述第一有源层建立欧姆结。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一有源层，所述第一有源层设置在所述衬底上方；第二有源层，所述第二有源层设置在所述第一有源层上，所述第二有源层的带隙比所述第一有源层高，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层；第一电极，所述第一电极具有设置在所述第二有源层中的凹槽中的第一部分和设置在所述第二有源层上的第二部分，使得与所述第二有源层形成肖特基结；以及第二电极，所述第二电极与所述第一有源层接触，所述第二电极与所述第一有源层建立欧姆结。