一种基于标准CMOS工艺的集成定向耦合器

摘要

本发明提供一种基于标准CMOS工艺的集成定向耦合器。该集成定向耦合器包括：第一层线圈，两端分别为输入端和直通端，其间设有可调电容阵列，用于频率调谐；第二层线圈，两端分别为耦合端和隔离端，其间设有可调电容阵列，用于隔离度调谐。两层线圈均为同心多圈结构，相邻两圈的交叉部分跨接。第一层线圈的金属线中心正对所述第二层线圈的金属线间距中心，呈立体结构。所述直通端和所述耦合端的空间距离小于所述输入端和所述隔离端的空间距离。该集成定向耦合器可在硅基CMOS/BiCMOS工艺上单芯片集成，具有插入损耗小、隔离度大、定向性好、调谐性强、适用性强、成本低的特点。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的集成定向耦合器，其特征在于，包括：第一层线圈，为同心多圈结构，相邻两圈的交叉部分跨接，线圈的两端分别作为输入端和直通端；第二层线圈，为同心多圈结构，相邻两圈的交叉部分跨接，线圈的两端分别作为耦合端和隔离端；以及两个可调电容阵列，其一连接所述输入端和所述直通端，实现频率调谐，另一个连接所述耦合端和所述隔离端，实现隔离度调谐；所述第一层线圈的金属线中心正对所述第二层线圈的金属线间距中心，两层线圈为上下层交错排布的立体线圈结构；所述直通端和所述耦合端的空间距离小于所述输入端和所述隔离端的空间距离。