一种金属层上含钽薄膜的刻蚀方法

摘要

本发明揭示了一种金属层上含钽薄膜的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：使用氯气和氯化硼刻蚀金属层上的含钽薄膜。具体包括：步骤S1.将带有含钽薄膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；步骤S2.向反应腔室中通入刻蚀气体；刻蚀气体包括氯气和氯化硼；步骤S3.用低偏置功率20～100瓦对硅片进行刻蚀。本发明提出的金属层上含钽薄膜的刻蚀方法，可克服器件接触不良的问题，得到非常干净的表面，提高器件的成品率。本发明方法使用氯气(Cl₂)和氯化硼(BCl₃)刻蚀氮化钽，刻蚀后可以得到非常干净的表面；同时氯气(Cl₂)和氯化硼(BCl₃)对铁(Fe)，钴(Co)，钛(Ti)，镍(Ni)等金属或复合金属的蚀刻速率很低，可以停在其材料上。

主权项

一种金属层上含钽薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：步骤S1、将带有含钽薄膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；步骤S2、向反应腔室中通入反应气体，包括20～50sccm Cl₂、30～100sccmBCl₃、10～30sccm N₂、50～200sccm Ar；步骤S3、将反应腔室压力控制在15～50mt，温度控制在35℃；步骤S4、用低偏置功率20～100瓦对硅片进行刻蚀，源极功率根据刻蚀速率的需要调整，功率和刻蚀速率成正比；步骤S5、经过设定时间的刻蚀反应，得到含有很少量副产品的成型基片，所述副产品主要为钽的聚合物，降低后续清洁的难度；步骤S6、刻蚀后的清洗：清洁气体为氧气O₂；步骤S6具体包括：步骤S61、将干法刻蚀后的器件放入有各向同性刻蚀功能的腔室中；步骤S62、向该腔室中通入清洁气体氧气O₂；步骤S63、控制所述腔室的温度在70℃～250℃，控制所述腔室的压力在0.5～3Torr；步骤S64、用等离子体对硅片进行低能反应刻蚀，去除器件表面和侧壁的含有钽的聚合物。