| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：对半导体器件的衬底采用前段工艺，其中，所述前段工艺是制造半导体器件需要对衬底采用的工艺的集合；对经前段工艺处理的衬底采用第一次氢气退火工艺。本发明的半导体器件的制造方法，减小了悬挂键的密度，提高了半导体器件的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104810280A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201410040684.8 | 申请日期 | 2014.01.27 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 潘光燃;石金成;文燕;高振杰 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：对半导体器件的衬底采用前段工艺，其中，所述前段工艺是制造半导体器件需要对衬底采用的工艺的集合；对经前段工艺处理的衬底采用第一次氢气退火工艺。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||