| 发明名称 | 相变存储器单元及方法 | ||
| 摘要 | 一种相变存储器结构，包括：第一电极；位于第一电极之上的加热器，其中，所述加热器包括第一柱和第二柱，所述第一柱和所述第二柱中的每一个包括顶侧和底侧；相变材料，所述相变材料在所述第一柱的横侧部分的周围，所述第一柱的所述横侧部分位于所述第一柱的所述顶侧和所述底侧之间，所述相变材料在所述第二柱的横侧部分的周围，所述第二柱的所述横侧部分位于所述第二柱的所述顶侧和所述底侧之间；以及位于所述加热器和所述相变材料之上的第二电极，所述第一电极至少经由所述相变材料电耦合到所述第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101809669B | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN200880109055.9 | 申请日期 | 2008.08.08 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | R·穆拉利德哈;T·P·麦钱特;R·A·劳 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种相变存储器单元，包括：第一电极；位于第一电极之上的加热器，其中，所述加热器包括第一柱和第二柱，所述第一柱和所述第二柱中的每一个包括顶侧和底侧；相变材料，所述相变材料在所述第一柱的横侧部分的周围，所述第一柱的所述横侧部分位于所述第一柱的所述顶侧和所述底侧之间，所述相变材料在所述第二柱的横侧部分的周围，所述第二柱的所述横侧部分位于所述第二柱的所述顶侧和所述底侧之间；以及位于所述加热器和所述相变材料之上的第二电极，所述第一电极至少经由所述相变材料电耦合到所述第二电极。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||