一种栅极刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种栅极刻蚀方法，应用于具有多晶硅层和硬掩膜层的晶片上，该方法首先在硬掩膜层上沉积氮化钛层，然后依次刻蚀所述氮化钛层和硬掩膜层，分别形成覆盖层和硬掩膜，以所述覆盖层和硬掩膜为遮蔽刻蚀所述多晶硅层形成栅极。本发明一方面利用刻蚀气体对覆盖层和多晶硅层的高选择比，在刻蚀多晶硅层形成栅极的过程中，由覆盖层保护硬掩膜不受损伤；另一方面湿法刻蚀去除覆盖层时也不会损伤硬掩膜，从而达到减小硬掩膜损耗的目的。

主权项

一种栅极制作方法，应用于具有多晶硅层和硬掩膜层的晶片上，其特征在于，该方法包括，在所述硬掩膜层上沉积氮化钛层；光刻后在所述氮化钛层上形成光刻图案，以所述光刻图案为掩膜依次第一刻蚀所述氮化钛层和第二刻蚀所述硬掩膜层，分别形成覆盖层和硬掩膜，露出所述多晶硅层；灰化去除所述覆盖层上残留的光刻图案；以所述覆盖层和硬掩膜层为掩膜，第三刻蚀所述多晶硅层，形成栅极；湿法刻蚀去除所述覆盖层；所述第三刻蚀是等离子体刻蚀，所用的第三刻蚀气体是溴化氢气体和氧气的混合气体。