一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法

摘要

本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。

主权项

一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构的制作的方法，其特征在于在硅圆片的两面氧化层上分别光刻出通孔和隔离槽图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出通孔和隔离槽，但是不将隔离槽刻穿；电镀形成通孔，在隔离槽内沉积低介电常数聚合物；在通孔分布上，以一圈接地通孔环绕信号传输通孔的形式，最终形成类似同轴线的传输形式。