近红外-可见光可调图像传感器及其制造方法

摘要

本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。

主权项

一种近红外‑可见光可调图像传感器，其特征在于，包括：一个具有p型掺杂类型的硅衬底；在所述硅衬底上形成的硅基光电二极管；在所述硅衬底上形成的锗化硅基光电二极管；在所述硅衬底内、所述硅基光电二极管与所述锗化硅基光电二极管之间形成的第一晶体管与第二晶体管；在所述硅衬底之上、所述第一晶体管与所述第二晶体管之间形成的一个作为电荷存储节点的具有导电性的浮动节点。