多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法

摘要

本发明属于电子束熔炼领域，特别涉及一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法。包括备料、抽真空、预处理和熔炼，在预处理之后，继续进行下述步骤：（1）调节电子束束流，加热使硅料开始熔化；（2）调节电子束束斑沿着坩埚内壁上沿向坩埚圆心做螺旋移动，电子束束斑运动到坩埚圆心后，做反向螺旋移动；重复本次螺旋运动；（3）电子束束斑运动结束后，进行电子束熔炼。本发明的显著效果是能够减少硅液飞溅所带来的硅料损失，减少对真空腔内的烧蚀，避免由硅液飞溅引起的真空腔内压强骤变，从而带来的电子枪停机的隐患，工艺更加简单且易于操作。

主权项

一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，包括备料、抽真空、预处理和熔炼，其特征在于在预处理之后，继续进行下述步骤：(1)调节电子束束流，加热使硅料开始熔化；(2)调节电子束束斑沿着坩埚内壁上沿向坩埚圆心做螺旋移动，电子束束斑运动到坩埚圆心后，做反向螺旋移动至坩埚内壁上沿；重复上述螺旋移动；(3)电子束束斑运动结束后，进行电子束熔炼，所述步骤(1)中电子束束流调节至100～180mA。