发明名称 |
半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
摘要 |
一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置,提高在衬底上形成的膜的衬底面内均匀性,包括如下工序:通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去处理室内的原料气体的工序、对处理室内的衬底供给化学结构不同于原料气体的反应气体的工序、以及除去处理室内的反应气体的工序作为一循环,进行规定次数的所述循环,由此在衬底上形成膜,在除去反应气体的工序中,交替重复进行将处理室内减压排气的工序和用惰性气体吹扫处理室内的工序。 |
申请公布号 |
CN104805414A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201510018491.7 |
申请日期 |
2015.01.14 |
申请人 |
株式会社日立国际电气 |
发明人 |
赤江尚德;四谷达也 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
杨宏军;李文屿 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括如下工序:通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去所述处理室内的所述原料气体的工序、对所述处理室内的所述衬底供给化学结构不同于所述原料气体的反应气体的工序、以及除去所述处理室内的所述反应气体的工序作为一循环,进行规定次数的所述循环,由此在所述衬底上形成膜,在除去所述反应气体的工序中,交替重复进行将所述处理室内减压排气的工序和用惰性气体吹扫所述处理室内的工序。 |
地址 |
日本东京都 |