| 发明名称 | 一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法通过湿法氧化、超声及后处理等步骤的协同配合，不仅能够有效去除碳化硅表面的碳保护膜，而且还可能够对碳保护膜中残留的各种杂质起到很好的去除效果。另外，本发明的方法避免了碳保护膜去除过程中对SiC表面所造成的损伤，有利于后续加工工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN104810255A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201510091202.6 | 申请日期 | 2015.02.28 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 史晶晶;李诚瞻;吴煜东;周正东;赵艳黎;高云斌;吴佳;杨勇雄;丁荣军 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;陈伟 |
| 主权项 | 一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法，其包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||