发明名称 |
一种碳纳米管太赫兹天线 |
摘要 |
一种碳纳米管太赫兹天线,采用硅基底上碳纳米管嵌套结构,由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成,碳纳米管构成阵列垂直设置于硅基底上并平行排列,碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍,两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入射波长的0.01倍,交流电源位于两段碳纳米管之间的缝隙处并分别与两边的嵌套材料铜线连接,整个天线的长度为入射波波长的0.5倍。本发明的优点是:该碳纳米管太赫兹天线模型中,由于碳纳米管与铜线之间的耦合效应和碳纳米管之间的辐射叠加效应,使天线的辐射增益显著提高;结合太赫兹技术,碳纳米管太赫兹天线能够更好的应用在如国防系统的设备研究上。 |
申请公布号 |
CN104810609A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201510200520.1 |
申请日期 |
2015.04.24 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
任广军;汪亚琦;谭天波;刘迎 |
分类号 |
H01Q1/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q1/36(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种碳纳米管太赫兹天线,其特征在于:采用硅基底上碳纳米管嵌套结构,由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成,碳纳米管构成阵列垂直设置于硅基底上并平行排列,碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍,两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入射波长的0.01倍,交流电源位于两段碳纳米管之间的缝隙处并分别与两边的嵌套材料铜线连接,整个天线的长度为入射波波长的0.5倍。 |
地址 |
300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 |