发明名称 一种扇出晶圆级封装件及其制造方法
摘要 本发明公开了一种扇出晶圆级封装件及其制造方法。该扇出晶圆级封装件包括:第一芯片、塑封第一芯片的侧面并且暴露第一芯片的正面和背面的第一塑封层、设置在第一芯片的正面和第一塑封层的下表面上的第一再布线层、其背面位于第一芯片的背面上的第二芯片、塑封第二芯片的侧面并且暴露第二芯片的正面的第二塑封层、以及设置在第二芯片的正面和第二塑封层的上表面上的第二再布线层。其中,在第一再布线层与第二再布线层之间设有贯通第一塑封层和第二塑封层的导电通孔。通过本发明的扇出晶圆级封装件及其制造方法,能够提供一种尺寸小、成品率高、低高温翘曲的扇出晶圆级封装件。
申请公布号 CN104810332A 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201510223394.1 申请日期 2015.05.05
申请人 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 发明人 陈峥嵘
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 刘灿强
主权项 一种扇出晶圆级封装件,其特征在于,所述扇出晶圆级封装件包括:第一芯片,包括正面、背面和侧面;第一塑封层,塑封第一芯片的侧面并且暴露第一芯片的正面和背面;第一再布线层,设置在第一芯片的正面和第一塑封层的下表面上;第二芯片,包括正面、背面和侧面,并且第二芯片的背面位于第一芯片的背面上;第二塑封层,塑封第二芯片的侧面并且暴露第二芯片的正面;以及第二再布线层,设置在第二芯片的正面和第二塑封层的上表面上;其中,在第一再布线层与第二再布线层之间设有导电通孔,导电通孔贯通第一塑封层和第二塑封层,使得第一芯片和第二芯片通过导电通孔与第一再布线层和第二再布线层电连接。
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