共享字线的无触点SONOS分栅式闪存

摘要

本发明提出的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。同时采用无触点的设计，使得闪存器件具有尺寸小，工艺与CMOS传统工艺兼容的特点，有利于器件尺寸进一步缩小。

主权项

一种共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别直接连接于所述源极区域和漏极区域；第一浮栅，设置于所述沟道区和源极区域上方；第二浮栅，设置于所述沟道区和漏极区域上方，所述第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；字线，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述沟道区上方并位于所述第一浮栅和第二浮栅之间，所述第二部分连接于所述第一部分顶部，并位于所述第一浮栅和第二浮栅上方，所述第二部分顶部延伸至所述第一位线和第二位线上方，并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部相隔离，其中，所述第一浮栅和第二浮栅为氮化硅浮栅。