电阻式存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法，该存储器包括：一基底；一堆叠，此堆叠包括：下电极及电阻转态层；层间介电层，覆盖堆叠，其中层间介电层具有开口对准堆叠，此开口的侧壁与下电极及电阻转态层的侧壁对齐；上电极，设于电阻转态层上；以及接触插塞，设于开口中且电连接上电极。本发明亦提供此电阻式存储器的制造方法。本发明利用自对准方式定义接触开口，可避免以干蚀刻步骤形成接触开口时对元件造成的伤害，以提升工艺良率。

主权项

一种电阻式存储器，其特征在于，该存储器包括：一基底；一堆叠，包括：一下电极，设于该基底上；及一电阻转态层，设于该下电极上；一层间介电层，覆盖该堆叠，其中该层间介电层具有一开口对准该堆叠，该开口的侧壁与该下电极及该电阻转态层的侧壁对齐；一上电极，设于该电阻转态层上；以及一接触插塞，设于该开口中且电连接该上电极。