阵列基板及其制造方法

摘要

本发明属于液晶显示技术领域，特别是涉及阵列基板及其制造方法。本发明中的氧化物薄膜晶体管阵列基板采用透明导电材料作为源极和/或漏极，简化了薄膜晶体管结构，同时提高了使用本发明的液晶显示装置的开口率。本发明中公共电极线与数据线同层设置，减小了公共电极线与像素电极间的距离，增大了存储电容，提高了阵列基板的性能。阵列基板制作中，采用半灰阶掩膜多步刻蚀的方法，使得刻蚀保护膜与数据线通过一次掩膜曝光制得，使阵列基板制作过程只需要进行5次掩膜曝光，简化了工艺，并降低了制作成本。

主权项

一种阵列基板，包括基板，形成于基板上的薄膜晶体管和形成于基板上的像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极为透明导电材料；所述薄膜晶体管包括由下而上覆盖在基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、钝化层、漏极和源极，所述有源层覆盖在栅极绝缘层上并位于栅极的上方；所述钝化层位于有源层之上，钝化层上有过孔；所述漏极覆盖在钝化层上，并通过过孔与有源层的一端连接；所述源极覆盖在钝化层上，并通过过孔与有源层的另一端连接；所述像素电极覆盖在钝化层上，并与所述漏极相连接，其中，保护层与数据线一次掩膜曝光制得，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体，在所述有源层和钝化层之间还有保护层，所述保护层覆盖在有源层的沟道区上，所述沟道区位于漏极与有源层接触位置和源极与有源层接触位置之间，对暴露在保护层之外的有源层进行离子注入处理；所述阵列基板还包括栅线和数据线；所述栅线覆盖在基板上，且与栅极连接；所述数据线位于栅极绝缘层和钝化层之间，所述源极通过过孔与数据线连接；还包括公共电极线，所述公共电极线与数据线设置于同一层，其中，所述公共电极线与栅极绝缘层之间、数据线与栅极绝缘层之间设置有保护层。