发明名称 一种在金属或金属合金表面大规模生长ZnO纳米阵列的方法
摘要 本发明涉及一种在金属或金属合金表面大规模生长ZnO纳米阵列的方法。制备ZnO纳米阵列的方法大多具有设备昂贵、操作复杂、催化剂污染、晶体质量不高等缺陷。本发明超声清洗金属或金属合金衬底;混合二水合乙酸锌、稳定剂和无水乙醇制得ZnO前驱体溶胶;再在衬底上涂覆ZnO前驱体溶胶,烘干后紫外灯照射得到ZnO晶种层;将晶种层的衬底正面向下,倾斜置于锌盐溶液中生长。本发明采用紫外灯照射的方法处理晶种层,避免由于高温处理导致衬底氧化;ZnO纳米阵列在90℃水热条件下生长,无需特殊处理,操作过程简单;制备的ZnO纳米阵列进行有机染料废水的光催化降解,可避免催化剂的二次团聚,表现出良好的光催化活性,可多次使用。
申请公布号 CN103614711B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201310626703.0 申请日期 2013.12.02
申请人 陕西科技大学 发明人 马建中;张永辉;鲍艳
分类号 C23C20/08(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C23C20/08(2006.01)I
代理机构 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人 李罡
主权项 一种在金属或金属合金表面大规模生长ZnO纳米阵列的方法,其特征在于:由以下步骤实现:步骤一:衬底的清洗:将金属或金属合金依次置于丙酮、无水乙醇、去离子水中各超声清洗15min,烘干,备用;步骤二:ZnO前驱体溶胶的制备:称取0.033‑0.110g的二水合乙酸锌、0.023‑0.111g的稳定剂和11g的无水乙醇,混合,超声分散30min,制得ZnO前驱体溶胶;步骤三:晶种层的制备:通过浸渍提拉的方法,在步骤一清洗过的衬底上涂覆一层步骤二的ZnO前驱体溶胶,60℃烘干,依次重复3次,置于300W的紫外灯下照射40min,得到ZnO晶种层;步骤四:ZnO纳米阵列的制备:在常温常压条件下,将步骤三制备的含有晶种层的衬底正面向下,倾斜置于90℃的锌盐溶液中,生长2‑6小时;反应完毕取出衬底,去离子水清洗干净后干燥。
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