| 发明名称 | 一种片式功率二极管封装工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，片式功率二极管封装设计尺寸为：3.7mm*1.7 mm*1.0mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。因为铜框架散热能力强，能够长时间在高温环境中正常工作，同时在缩小器件封装体积情况下，通过减小器件的热阻，提高了器件自身的散热性能。此外，封装外形的超小型体积和超薄型器件高度，能够更方便应用在空间受限的场合下实现PCB板的插贴混装设计，提高单位面积的零件密度使整机产品做得更小更薄。 | ||
| 申请公布号 | CN102820233B | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201210309000.0 | 申请日期 | 2012.08.28 |
| 申请人 | 绍兴文理学院 | 发明人 | 张新华;张若煜 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人 | 蒋卫东 |
| 主权项 | 一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，其特征在于：片式功率二极管封装设计尺寸为：3.7 mm *1.7 mm *1.0mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺；所述片式功率二极管为扁平引脚，两引脚间距1.7mm～1.8mm。 | ||
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市环城西路508号绍兴文理学院 | ||