半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。为了提供能够通过抑制双RESURF结构的尺寸变化而抑制击穿电压的降低的半导体装置及其制造方法。在半导体装置中，上侧RESURF区域在半导体衬底内被形成为与第一埋置区在该一个主表面的一侧接触。半导体衬底具有场氧化物，其在该一个主表面上被形成为到达上侧RESURF区域。半导体衬底包括第二导电类型体区，该第二导电类型体区在半导体衬底内被形成为与上侧RESURF区域在该一个主表面一侧接触并且邻近场氧化物。

主权项

一种半导体装置，具有横向绝缘栅型场效应晶体管，所述半导体装置包括：半导体衬底，具有彼此相对的一个主表面与另一个主表面；布置在所述半导体衬底内的下侧RESURF区域；第一导电类型的第一埋置区，被形成为在所述半导体衬底内与所述下侧RESURF区域在所述一个主表面一侧接触；以及第二导电类型的上侧RESURF区域，被形成为在所述半导体衬底内与所述第一埋置区在所述一个主表面一侧接触，其中所述半导体衬底具有场氧化物，所述场氧化物在所述一个主表面上被形成为到达所述上侧RESURF区域，以及所述半导体衬底包括第二导电类型的体区，所述体区被形成为与所述上侧RESURF区域在所述一个主表面一侧接触并且邻近所述场氧化物，以及其中所述半导体衬底具有栅极沟槽，所述栅极沟槽被形成为在所述一个主表面上邻近所述上侧RESURF区域和所述体区，以及所述半导体衬底还包括所述绝缘栅型场效应晶体管的栅极电极，所述栅极电极在所述栅极沟槽内形成为经由栅极绝缘膜而与所述体区和所述上侧RESURF区域相对。