Flash芯片读写控制电路和方法、AMOLED应用电路

摘要

本发明公开了一种用于Flash芯片的读写控制电路，包括：时序控制电路，其生成用于Flash芯片的读写时序信号；以及第一非易失性存储器，其用于存储与Flash芯片中的多个分区对应的多个标志位，所述标志位中的每一个指示与其对应的一个分区是否被正常写入。还公开了一种用于Flash芯片的读写控制方法和具有所述读写控制电路的用于电学补偿机制的AMOLED应用电路。通过设置标志位将每个分区做标记，并且设置备份存储区以保留原始的补偿数据，保证了例如在发生掉电的情况下显示的连续性和电学补偿数据的完整性。

主权项

一种用于Flash芯片的读写控制电路，包括：时序控制电路，其生成用于所述Flash芯片的读写时序信号；以及第一非易失性存储器，其用于存储与所述Flash芯片中的多个分区对应的多个标志位，所述标志位中的每一个指示与其对应的一个分区是否被正常写入；其中，当对所述Flash芯片中的一个分区写入数据时，所述时序控制电路执行以下操作：生成将要写入的所述分区中的原有数据复制到一个非易失性备份存储区的时序信号；控制所述第一非易失性存储器将与要写入的所述分区对应的标志位设置为指示异常写入的第一值；生成将要写入的所述分区擦除的时序信号；生成将要写入的数据写入到所述分区的时序信号；以及在写入完成后将与所述分区对应的所述标志位设置为指示正常写入的第二值；并且，在重新通电后，当从所述Flash芯片中的一个分区读取数据时，所述时序控制电路根据所述第一非易失性存储器中的所述标志位的指示，确定数据是从所述Flash芯片的所述分区还是从所述非易失性备份存储区读取。