发明名称 |
应变硅纳米线NMOSFET的制备方法 |
摘要 |
本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法,包括提供SOI硅片,包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅;形成硅纳米线场效应晶体管区域,并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层,在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线;沉淀无定形碳,并填充顶层硅下方的空洞层;进行栅氧工艺制备栅氧层,并沉积栅极材料;沉积绝缘介质材料,并填充顶层硅下方的空洞层,刻蚀形成栅极侧墙;刻蚀源漏极区域的顶层硅,在源漏极生长碳硅层,同时进行源楼区域原位掺杂;进行金属硅合金工艺,及接触孔工艺,将源、漏、栅极引出。本发明增大了N-SiNWFET中硅纳米线源漏方向的张应力,从而有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力。 |
申请公布号 |
CN102683214B |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201210135991.5 |
申请日期 |
2012.05.04 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
黄晓橹 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,提供SOI硅片,包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅;步骤2,定义硅纳米线场效应晶体管区域,并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层,在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线;步骤3,沉淀无定形碳,并填充顶层硅下方的空洞层;步骤4,刻蚀栅极区域的无定形碳,直至露出埋氧层;步骤5,进行栅氧工艺制备栅氧层,并沉积栅极材料;步骤6,去除无定形碳;步骤7,沉积绝缘介质材料,并填充顶层硅下方的空洞层,刻蚀形成栅极侧墙;步骤8,刻蚀源漏衬垫区域的顶层硅,在源漏极区域生长碳硅层,同时进行源漏区域原位掺杂;步骤9,进行金属硅合金工艺,及接触孔工艺,将源、漏、栅极引出;其中,所述步骤8中通过自对准选择性刻蚀源漏衬垫区域的顶层硅,并保留底部的部分顶层硅,作为生长碳硅层的籽晶层。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |