通过控制表面组成来调控钨生长

摘要

在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

主权项

一种于CVD工艺中控制成核的方法，包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述表面区域和所述间隙区域上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含第一钨卤化物的第一沉积气体与第一含氢气体反应，以沉积钨填充层于所述第一成核层上，其中所述钨填充层优先沉积在所述基板的间隙区域中；使包含第二钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层于所述钨填充层上；以及使包含第三钨卤化物的第二沉积气体与第二含氢气体反应，以沉积钨场层于所述第二成核层上。