发明名称 离子植入系统中所使用的电极用终端
摘要 离子植入系统包括一静电透镜。静电透镜包括一终端电极、一接地电极及配置于其间的一抑制电极。一离子束通过终端电极而进入静电透镜并通过接地电极而离开静电透镜。这些电极具有相关的静电等电位线。端板配置于抑制电极的顶部及底部及/或接地电极的顶部及底部。为了让离子束通过静电透镜时保持均匀度,各个端板具有对应于与特定电极相关的静电等电位线的一形状。
申请公布号 CN102422395B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201080020279.X 申请日期 2010.04.01
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 法兰克·辛克莱;史费特那·瑞都凡诺;肯尼士·H·波什
分类号 H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种静电透镜组件,用于离子植入机,所述静电透镜组件包括:终端电极,由顶部及底部所界定,所述终端电极的所述顶部及所述底部皆具有各别的边缘,所述终端电极接收所述终端电极的所述顶部及所述底部之间的离子束;接地电极,由顶部及底部所界定,所述接地电极使所述离子束离开所述接地电极的所述顶部及所述底部之间的所述静电透镜组件;抑制电极,由顶部及底部所界定,其中所述离子束被传送于所述抑制电极的所述顶部及所述底部之间,所述抑制电极配置于所述终端电极及所述接地电极之间,所述抑制电极具有相关静电等电位线;以及端板,配置于所述抑制电极的所述顶部及所述底部的各别边缘之间,所述端板具有对应于与所述抑制电极的一区域相关的所述静电等电位线的形状,其中所述端板的形状类似于与所述抑制电极的所述区域相关的所述静电等电位线。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
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