| 发明名称 | 一种抑制InAs量子点中In偏析的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抑制InAs量子点中In偏析的生长方法，其包括：在衬底上生长缓冲层后，在缓冲层上生长InAs量子点层，接着在InAs量子点层上生长AlAs层，最后在AlAs层上生长GaAs盖层。通过采用本发明的InAs量子点生长方法，能够很好地抑制InAs量子点中In原子的偏析，使得响应波长红移，向通信领域使用的1.3um波长靠近，能很好地应用于1.3-1.5um的通信领域中，同时使得其制作的太阳能器件开路电压增加。本发明可广泛应用于InAs量子点生长领域中。 | ||
| 申请公布号 | CN104810256A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201510160441.2 | 申请日期 | 2015.04.03 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 何苗;庞永震;郑树文 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人 | 郑莹 |
| 主权项 | 一种抑制InAs量子点中In偏析的生长方法，其特征在于：该方法包括：A、在衬底上生长缓冲层；B、在缓冲层上生长InAs量子点层；C、在InAs量子点层上生长AlAs层；D、在AlAs层上生长GaAs盖层。 | ||
| 地址 | 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号 | ||