一种抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法

摘要

本发明涉及抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，有效解决抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累，延长电器使用寿命的问题，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由氟气、氧气和氮气组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应2-20min，反应温度为18-200℃；所述的混合气体，以体积比计：氟气1-20%、氧气1-20%，余量为氮气；本发明方法简单，易操作，成本低，效果好，可有效应用于抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累，以提高聚酰亚胺绝缘薄膜的耐电晕性能及聚酰亚胺绝缘薄膜在小型电机电器变频调速技术的稳定性和寿命。

主权项

一种抑制聚酰亚胺绝缘薄膜表面电荷积累的方法，其特征在于，在密闭的反应室中，对聚酰亚胺绝缘薄膜材料进行气相氧氟氟化处理，方法是：先将聚酰亚胺绝缘薄膜放入反应室中，抽真空，然后向反应室中通入由氟气、氧气和氮气组成的混合气体，在混合气体下对聚酰亚胺薄膜表层进行气相氧氟氟化反应2‑20min，反应温度为18‑200℃；所述的混合气体，以体积比计：氟气1‑20%、氧气1‑20%，余量为氮气；所述通入的混合气体的压气为0.05‑0.55 MPa。