发明名称 抑制跳模的影响的热辅助磁记录头
摘要 本发明涉及一种抑制跳模的影响的热辅助磁记录头。在一个实施例中,一种器件包括激光单元,所述激光单元被配置为产生激光,所述激光单元在平行于激光发射的方向中具有长度的激光谐振器;以及,滑块,所述滑块在垂直于滑块的面向介质的表面的方向中具有长度,所述滑块包括:主磁极,所述主磁极被配置为向磁介质写入数据;近场光生成元件,所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光,以在通过加热磁介质的局部区域而向磁介质写入数据中辅助主磁极;以及,波导,所述波导被配置为将激光引导到元件,波导包括围绕芯的包层,其中,激光谐振器的纵模的间隔等于波导的光干涉周期的整数倍的大约5%内。
申请公布号 CN104810027A 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201510040982.1 申请日期 2015.01.27
申请人 HGST荷兰有限公司 发明人 宫本治一
分类号 G11B5/127(2006.01)I 主分类号 G11B5/127(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 关兆辉;谢丽娜
主权项 一种器件,包括:激光单元,所述激光单元被配置为产生激光,所述激光单元包括沿平行于激光发射的方向具有长度(L1)的激光谐振器;以及,滑块,所述滑块沿垂直于所述滑块的面向介质的表面的方向具有长度(L2),所述滑块包括:主磁极,所述主磁极被配置为向磁介质写入数据;近场光生成元件,所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光,以通过加热所述磁介质的局部区域而在向所述磁介质写入数据时辅助所述主磁极;以及,波导,所述波导被配置为将所述激光引导到所述近场光生成元件,所述波导包括围绕芯的包层,其中,所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的大约5%范围内。
地址 荷兰阿姆斯特丹