发明名称 |
适合低电压操作的简单电荷泵电路 |
摘要 |
本发明涉及一种适合低电压操作的简单电荷泵电路,其包含级联的若干个电荷泵子单元;每一级电荷泵子单元设有三个NMOS晶体管和一对两相时钟信号,包含:第一NMOS晶体管,作为传输开关,其漏极连接本级输入端,源极连接本级输出端;第二NMOS晶体管,其漏极和栅极相连接,并连接至本级输出端,源极连接第一NMOS晶体管的栅极;第三NMOS晶体管,其漏极和栅极接相连接,并连接至第一NMOS晶体管的栅极,源极连接本级输入端;第一相时钟信号,其通过第一电容连接本级输出端,第二相时钟信号,其通过第二电容连接第一NMOS晶体管的栅极。本发明以简单的结构提升作为传输开关的NMOS晶体管的栅极电压,降低衬底偏置效应的副作用,并简化电路板图设计。 |
申请公布号 |
CN104811034A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201510285462.7 |
申请日期 |
2015.05.29 |
申请人 |
聚辰半导体(上海)有限公司 |
发明人 |
袁庆鹏 |
分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/07(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
徐雯琼;徐茂泰 |
主权项 |
一种适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,包含级联的若干个电荷泵子单元;每一级电荷泵子单元设有三个NMOS晶体管和一对两相时钟信号,包含:第一NMOS晶体管,作为传输开关,其漏极连接本级电荷泵子单元的输入端,源极连接本级电荷泵子单元的输出端;第二NMOS晶体管,其漏极和栅极相连接,并连接至本级电荷泵子单元的输出端,源极连接第一NMOS晶体管的栅极;第三NMOS晶体管,其漏极和栅极接相连接,并连接至第一NMOS晶体管的栅极,源极连接本级电荷泵子单元的输入端;第一相时钟信号,其通过第一电容连接本级电荷泵子单元的输出端;第二相时钟信号,其通过第二电容连接第一NMOS晶体管的栅极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区松涛路647弄12号 |