GaN基发光二极管外延片制备方法及制备的外延片

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片制备方法及制备的外延片，属于半导体发光二极管领域。该方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型GaN层、应力调控层、多量子阱层、p型GaN层、以及p型欧姆接触层，该应力调控层为多周期结构，生长多周期结构的每个周期包括：以第一生长温度生长一层应力调控InGaN子层，在应力调控InGaN子层生长结束后，在第二生长温度下向反应腔内通入氢气，对应力调控InGaN子层的表面进行刻蚀处理，第二生长温度与第一生长温度不同。本发明通过对应力调控InGaN子层进行上述处理，能在应力调控InGaN子层与应力调控GaN子层之间形成一个平整的接触面，防止缺陷继续延伸。

主权项

一种GaN基发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、重结晶成核层、变速缓冲恢复层、u型GaN层、n型GaN层、应力调控层、多量子阱层、低温p型GaN层、电子阻挡层、高温p型GaN层、以及p型欧姆接触层，所述多量子阱层的In掺杂量高于所述应力调控层的In掺杂量，所述应力调控层为多周期结构，生长所述多周期结构的每个周期包括：以第一生长温度生长一层应力调控InGaN子层；在所述应力调控InGaN子层生长结束后，在第二生长温度下向反应腔内通入氢气，对所述应力调控InGaN子层的表面进行刻蚀处理，所述第二生长温度与所述第一生长温度不同；在所述刻蚀处理结束后，以所述第一生长温度在所述应力调控InGaN子层上生长一层应力调控GaN子层。