发明名称 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法
摘要 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法,包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极,所述底电极为铁磁层,所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层;该铁磁层的材料为La<sub>1-x</sub>Sr<sub>x</sub>MnM<sub>y</sub>O<sub>3</sub>,其中0.15≤x≤0.5,0≤y≤0.1,M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种;铁电层的材料为BaTiO<sub>3</sub>;铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向;所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单,不仅实现了数据的多态存储功能,而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快,与传统半导体工艺兼容性较好等优点。
申请公布号 CN102768854B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201210212556.8 申请日期 2012.06.21
申请人 有研稀土新材料股份有限公司 发明人 李扩社;胡权霞;彭海军;张洪滨;李红卫;于敦波;谢佳君;李廷先;严辉
分类号 G11C13/02(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 主分类号 G11C13/02(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 程凤儒
主权项 一种磁电复合多态存储器单元,其特征在于,包括在衬底上依次复合的底电极、铁电层和顶电极,所述底电极和顶电极均为材料为La<sub>1‑x</sub>Sr<sub>x</sub>MnM<sub>y</sub>O<sub>3</sub>的铁磁层,其中0.15≤x≤0.5,0≤y≤0.1,M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种;所述铁电层的材料为BaTiO<sub>3</sub>;所述铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向;所述铁磁层与铁电层的厚度比为2.1~5;所述铁磁层的内禀矫顽力2.5kA/m≤H<sub>cj</sub>≤40kA/m;所述铁电层的相对介电常数为50~800。
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