| 发明名称 | 用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：制作石墨柱；将碳化硅粉源装入坩埚中，然后将石墨柱插入碳化硅粉源中，再将坩埚工装后置入生长设备中；进行碳化硅粉源烧结并除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102899718B | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201210411436.0 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 封先锋;陈治明;马剑平;蒲红斌;臧源 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 张瑞琪 |
| 主权项 | 一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，依次进行如下步骤：步骤1、将碳化硅粉源和石墨柱装入坩埚中，再将坩埚工装后置入生长设备中；步骤2、进行碳化硅粉源烧结并除杂；步骤3、从坩埚中取出石墨柱；步骤4、进行晶体生长操作。 | ||
| 地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 | ||