发明名称 |
HYBRID TRANSFORMER STRUCTURE ON SEMICONDUCTOR DEVICES |
摘要 |
몇 개의 신규한 특징들은 다수의 층들을 갖는 반도체 다이 내에 형성되는 하이브리드 변압기에 관한 것이다. 하이브리드 변압기는 다이의 제 1 층 상에 포지셔닝되는 제 1 권선들의 세트를 포함한다. 제 1 층은 다이의 기판 위에 포지셔닝된다. 제 1 권선들의 세트는 제 1 포트 및 제 2 포트를 포함한다. 제 1 권선들의 세트는 제 1 인덕터로서 동작하도록 배열된다. 하이브리드 변압기는 다이의 제 2 층 상에 포지셔닝되는 제 2 권선들의 세트를 포함한다. 제 2 층은 기판 위에 포지셔닝된다. 제 2 권선들의 세트는 제 3 포트, 제 4 포트 및 제 5 포트를 포함한다. 제 2 권선들의 세트는 제 2 인덕터 및 제 3 인덕터로서 동작하도록 배열된다. 제 1 권선들의 세트 및 제 2 권선들의 세트는 수직 커플링 하이브리드 변압기로서 동작하도록 배열된다. |
申请公布号 |
KR20150087303(A) |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
KR20157015889 |
申请日期 |
2013.11.21 |
申请人 |
QUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
LO CHI SHUN;LAN JE HSIUNG;VELEZ MARIO FRANCISCO;KIM, JONG HAE |
分类号 |
H01L49/02;H01F19/04;H01L23/522;H01L23/64 |
主分类号 |
H01L49/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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