| 发明名称 | 负极活性材料及其制备方法、非水电解质二次电池单元和电池组 | ||
| 摘要 | 根据一个实施方案，用于非水电解质二次电池单元的负极活性材料包括复合体。所述复合体包括碳质材料、分散在所述碳质材料中的硅氧化物和分散在硅氧化物中的硅。在所述复合体的粉末X射线衍射测试中，Si(220)面的衍射峰的半值宽度在1.5°-8.0°的范围内。硅氧化物相的平均尺寸在50nm-1000nm的范围内。(标准偏差)/(平均尺寸)之值等于或小于1.0，其中所述硅氧化物相的粒径分布的标准偏差定义为(d84%-d16%)/2。 | ||
| 申请公布号 | CN103022438B | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201210226105.X | 申请日期 | 2012.06.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 森田朋和;高见则雄;久保木贵志 |
| 分类号 | H01M4/38(2006.01)I;H01M4/13(2010.01)I;H01M10/42(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 苗征;于辉 |
| 主权项 | 用于非水电解质二次电池单元的负极活性材料，所述负极活性材料包含：复合体，其包括碳质材料、分散在所述碳质材料中的硅氧化物，和分散在硅氧化物中的硅，其中在所述复合体的粉末X‑射线衍射测试中，Si(220)面的衍射峰的半值宽度在1.5°‑8.0°的范围内，硅氧化物相的平均尺寸在50nm‑1000nm的范围内，并且(标准偏差)/(平均尺寸)之值等于或小于1.0，其中所述硅氧化物相的粒径分布的标准偏差定义为(d84%‑d16%)/2。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||