发明名称 片式熔断器和片式熔断器的制造方法
摘要 本发明提供片式熔断器和片式熔断器的制造方法,目的在于实现外观的维持和减少持续电弧等断路性能的提高。在所述片式熔断器(21)中,在绝缘基板(22)上形成蓄热层(23),在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部(24a)和上述表面电极部之间的熔断器要素部(24b)构成的熔断器膜,并在熔断器要素部上形成有保护膜,其中,以包围熔断器要素部周围的方式在蓄热层上和表面电极部上形成矩形的堤部(27),并在堤部的内侧形成第一保护膜(28)。此外,在堤部形成工序中,通过在熔断器要素部上、表面电极部上和蓄热层上粘贴片状的含有光敏基团的材料,并对所述片状的含有光敏基团的材料用紫外线曝光显影(光刻),来形成矩形的堤部。
申请公布号 CN104813433A 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201280075996.1 申请日期 2012.09.28
申请人 釜屋电机株式会社 发明人 山岸克哉;清野英树
分类号 H01H85/02(2006.01)I;H01H37/76(2006.01)I 主分类号 H01H85/02(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 鹿屹;李雪春
主权项 一种片式熔断器,在绝缘基板上形成蓄热层,在所述蓄热层上形成由片式熔断器长度方向两侧的表面电极部和所述表面电极部之间的熔断器要素部构成的熔断器膜,并在所述熔断器要素部上形成保护膜,所述片式熔断器的特征在于,以包围所述熔断器要素部周围的方式,在所述蓄热层上和所述表面电极部上形成矩形的堤部,在所述堤部的内侧形成所述保护膜。
地址 日本神奈川县