| 摘要 |
본 발명은 공정 가스의 흐름에 따라 에피택셜층을 성장시키는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치로서, 상기 공정 가스가 흐르는 영역을 제공하는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 측면부를 둘러싸는 상부 라이너 및 하부 라이너; 상기 반응 챔버의 중심부에 배치되며, 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 상기 서셉터와 동일 평면상에 배치되며, 상기 하부 라이너의 상면에 안착되면서 상기 서셉터와 이격되는 예열링 및 상기 예열링 하부에 형성되며, 상기 하부 라이너의 측면에 접촉되는 고정 부재를 포함하고, 상기 고정 부재는 상기 하부 라이너의 측면과 원주 방향의 접촉면을 갖는 돌출부로 구성되며, 상기 돌출부는 상기 예열링과 서셉터가 일정한 간격을 갖도록 고정되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 하부 라이너에 안착되는 예열링이 에피택셜 성장 공정 시 서셉터와 모든 방향에서 일정한 거리를 유지하도록 고정되므로, 웨이퍼 측으로 흐르는 반응 가스가 일정하게 제어되어 웨이퍼 에지부의 에피택셜 두께를 균일하게 형성할 수 있다. |
