| 发明名称 |
一种薄膜晶体管 |
| 摘要 |
本实用新型公开了一种薄膜晶体管，用以提供一种新型的导电性能较高的薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管，包括：栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；所述源极为W形；所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。 |
| 申请公布号 |
CN204516772U |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
| 申请号 |
CN201520054765.3 |
申请日期 |
2015.01.23 |
| 申请人 |
山西大同大学 |
发明人 |
高志翔;韩丙辰;刘红梅;董丽娟;刘艳红;刘丽想;石云龙 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种薄膜晶体管，包括：栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；其特征在于，所述源极为W形；所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。 |
| 地址 |
037009 山西省大同市兴云街山西大同大学固体物理研究所 |
