| 发明名称 | 一种晶圆表面平坦化工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤：在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。该工艺采用光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术，不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。 | ||
| 申请公布号 | CN104810277A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201410037579.9 | 申请日期 | 2014.01.26 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种晶圆表面平坦化工艺，其特征在于，包括以下步骤：在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||