发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含:发光二极管芯片;在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层;以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层,第二聚硅氧烷膜层包含磷光体,并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。 |
申请公布号 |
CN104813491A |
申请公布日期 |
2015.07.29 |
申请号 |
CN201380061906.8 |
申请日期 |
2013.11.28 |
申请人 |
株式会社LG化学 |
发明人 |
高敏镇 |
分类号 |
H01L33/50(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I;H01L33/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;顾晋伟 |
主权项 |
一种发光二极管,包含:发光二极管芯片;形成在所述发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层;以及形成在所述第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层,所述第二聚硅氧烷膜层包含磷光体,并且当不包含所述磷光体时具有比所述第一聚硅氧烷膜层的折射率低的折射率。 |
地址 |
韩国首尔 |