一种SRAM芯片的PUF特性测试方法及装置

摘要

本发明公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试方法。本发明方法包括：步骤1、向待测SRAM芯片中的每个存储单元写入测试数据；步骤2、按照预设次数反复读取待测SRAM芯片中的每个存储单元的输出数据，并统计各存储单元输出数据在整个反复读取过程中的跳变信息；步骤3、根据所述跳变信息分析待测SRAM芯片的PUF特性。本发明还公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试装置，用于实现上述方法。本发明可对SRAM芯片的PUF特性进行快速准确的测试，且测试装置全硬件实现，测试速度和准确率更高，成本更低。

主权项

一种SRAM芯片的PUF特性测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、向待测SRAM芯片中的每个存储单元写入测试数据；步骤2、按照预设次数反复读取待测SRAM芯片中的每个存储单元的输出数据，并统计各存储单元输出数据在整个反复读取过程中的跳变信息；步骤3、根据所述跳变信息分析待测SRAM芯片的PUF特性。